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SIHG22N60E-E3

SIHG22N60E-E3

SIHG22N60E-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

compliant

SIHG22N60E-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.93000 $4.93
10 $4.40000 $44
100 $3.60800 $360.8
500 $2.92160 $1460.8
1,000 $2.46400 -
2,500 $2.34080 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1920 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 227W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

DMN61D9UT-13
PMPB17EPX
PMPB17EPX
$0 $/Stück
NVTFS6H850NLWFTAG
NVTFS6H850NLWFTAG
$0 $/Stück
IPP230N06L3G
FDS6680A
FDS6680A
$0 $/Stück
SIHFR430ATRL-GE3
PMPB14R7EPX
PMPB14R7EPX
$0 $/Stück

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