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SIHG23N60E-GE3

SIHG23N60E-GE3

SIHG23N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC

nicht konform

SIHG23N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.17000 $5.17
10 $4.61500 $46.15
100 $3.78390 $378.39
500 $3.06402 $1532.01
1,000 $2.58412 -
2,500 $2.45492 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 158mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2418 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 227W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TA)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFI530NPBF
STF36N60M6
STF36N60M6
$0 $/Stück
SIHB21N80AE-GE3
NVTFS5C478NLWFTAG
NVTFS5C478NLWFTAG
$0 $/Stück
BUK953R2-40E,127
BUK953R2-40E,127
$0 $/Stück
FDMA86108LZ
FDMA86108LZ
$0 $/Stück
SCT4062KRHRC15

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