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SIHG24N65EF-GE3

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SIHG24N65EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

nicht konform

SIHG24N65EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.93000 $6.93
10 $6.18800 $61.88
100 $5.07380 $507.38
500 $4.10850 $2054.25
1,000 $3.46500 -
2,500 $3.29175 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 156mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 122 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2774 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

FQI7N80TU
IXTA340N04T4-7
IXTA340N04T4-7
$0 $/Stück
IRFU310BTU
IRFB4110PBF
RM5N40S2
RM5N40S2
$0 $/Stück
FDD8647L
FDD8647L
$0 $/Stück
SIS443DN-T1-GE3

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