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SIHG32N50D-GE3

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SIHG32N50D-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC

nicht konform

SIHG32N50D-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.02000 $6.02
10 $5.39400 $53.94
100 $4.45730 $445.73
500 $3.64536 $1822.68
1,000 $3.10403 -
2,500 $2.95829 -
4 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 150mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2550 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 390W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SIRC18DP-T1-GE3
NVMFS5C682NLWFAFT3G
NVMFS5C682NLWFAFT3G
$0 $/Stück
STB75N06HDT4
STB75N06HDT4
$0 $/Stück
IRL520PBF-BE3
IXTN240N075L2
IXTN240N075L2
$0 $/Stück
BUK6C3R3-75C,118
FQB30N06LTM
FQB30N06LTM
$0 $/Stück
IRFH8201TRPBF

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