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SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC

compliant

SIHG33N65E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.82000 $7.82
10 $7.06500 $70.65
100 $5.85840 $585.84
500 $4.95292 $2476.46
1,000 $4.34924 -
2,500 $4.19832 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 105mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 173 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4040 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 313W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

DMS3015SSS-13
PMZ600UNEZ
PMZ600UNEZ
$0 $/Stück
FQI16N25CTU
NTLJS2103PTBG
NTLJS2103PTBG
$0 $/Stück
STF40NF06
STF40NF06
$0 $/Stück
DMP2040UFDF-7
SSR4N60BTF
RM50P40LD
RM50P40LD
$0 $/Stück

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