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SIHG47N60AE-GE3

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SIHG47N60AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC

nicht konform

SIHG47N60AE-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.57000 $8.57
10 $7.71500 $77.15
100 $6.34310 $634.31
500 $5.31448 $2657.24
1,000 $4.62875 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 43A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 182 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3600 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 313W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SQJ423EP-T1_BE3
FDPF10N60NZ
FDPF10N60NZ
$0 $/Stück
RQ5E025ATTCL
RM3416
RM3416
$0 $/Stück
APT84M50B2
IRL630SPBF
IRL630SPBF
$0 $/Stück
SQJQ148ER-T1_GE3
R6020KNX
R6020KNX
$0 $/Stück
SQD50N04-5M6_GE3

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