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SIHG73N60AE-GE3

SIHG73N60AE-GE3

SIHG73N60AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC

compliant

SIHG73N60AE-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $13.10000 $13.1
10 $11.83300 $118.33
100 $9.81030 $981.03
500 $8.29398 $4146.99
1,000 $7.28308 -
216 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 40mOhm @ 36.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 394 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5500 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 417W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

BUK954R8-60E,127
BUK954R8-60E,127
$0 $/Stück
IRF6645TRPBF
VP2450N8-G
2SK2624LS-CD11
2SK2624LS-CD11
$0 $/Stück
NTGD3133PT1H
NTGD3133PT1H
$0 $/Stück
NTMFS5C604NLT1G
NTMFS5C604NLT1G
$0 $/Stück
MT9M131C12STC-MI-DR
MT9M131C12STC-MI-DR
$0 $/Stück
SQ4005EY-T1_GE3

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