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SIHG80N60E-GE3

SIHG80N60E-GE3

SIHG80N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC

compliant

SIHG80N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $13.67000 $13.67
10 $12.48000 $124.8
100 $10.68920 $1068.92
500 $9.19708 $4598.54
1,000 $8.48084 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 443 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6900 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 520W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SI2315BDS-T1-GE3
PMT280ENEAX
PMT280ENEAX
$0 $/Stück
RQ6E045TNTR
NVMFS6H801NLT1G
NVMFS6H801NLT1G
$0 $/Stück
NTMT095N65S3H
NTMT095N65S3H
$0 $/Stück
IXFN300N10P
IXFN300N10P
$0 $/Stück
STD24N06LT4G
STD24N06LT4G
$0 $/Stück

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