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SIHH100N60E-T1-GE3

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SIHH100N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8

compliant

SIHH100N60E-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $3.85385 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1850 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 174W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

C3M0075120J
C3M0075120J
$0 $/Stück
IXFK64N60Q3
IXFK64N60Q3
$0 $/Stück
IXTP340N04T4
IXTP340N04T4
$0 $/Stück
DMN3009SSS-13
BUK9M120-100EX
IXFH16N50P3
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$0 $/Stück
NTMYS3D3N06CLTWG
NTMYS3D3N06CLTWG
$0 $/Stück

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