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SIHH14N60EF-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8

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SIHH14N60EF-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $2.48564 -
15 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 266mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1449 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 147W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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