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SIHH250N60EF-T1GE3

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Vishay Siliconix

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

compliant

SIHH250N60EF-T1GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.52000 $4.52
500 $4.4748 $2237.4
1000 $4.4296 $4429.6
1500 $4.3844 $6576.6
2000 $4.3392 $8678.4
2500 $4.294 $10735
50 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 250mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 915 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 89W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

DMN67D8L-7
STB14N80K5
STB14N80K5
$0 $/Stück
DMN1004UFV-13
IRF6714MTRPBF
FDP023N08B-F102
FDP023N08B-F102
$0 $/Stück
FDD6770A
BUK9M6R0-40HX

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