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SIHH27N60EF-T1-GE3

SIHH27N60EF-T1-GE3

SIHH27N60EF-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8

compliant

SIHH27N60EF-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $4.00543 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 135 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2609 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 202W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

SIHP15N80AEF-GE3
AUIRF540ZS
NTHD3101FT1G
NTHD3101FT1G
$0 $/Stück
FDD6N50TM
FDD6N50TM
$0 $/Stück
SISS22DN-T1-GE3
IRFR3806TRPBF
PSMN012-100YLX
PMPB08R6ENX
PMPB08R6ENX
$0 $/Stück

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