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SIHK075N60EF-T1GE3

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Vishay Siliconix

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

nicht konform

SIHK075N60EF-T1GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.05000 $8.05
500 $7.9695 $3984.75
1000 $7.889 $7889
1500 $7.8085 $11712.75
2000 $7.728 $15456
2500 $7.6475 $19118.75
50 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 33A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 71mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2954 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 192W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK®10 x 12
Paket / Koffer 8-PowerBSFN
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Zugehörige Teilenummer

APT50M75JLL
SQJQ150E-T1_GE3
FDN302P
FDN302P
$0 $/Stück
IXTA8N65X2
IXTA8N65X2
$0 $/Stück
STFI15N65M5
IXTQ82N25P
IXTQ82N25P
$0 $/Stück

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