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SIHP080N60E-GE3

SIHP080N60E-GE3

SIHP080N60E-GE3

Vishay Siliconix

E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,

compliant

SIHP080N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.60000 $4.6
500 $4.554 $2277
1000 $4.508 $4508
1500 $4.462 $6693
2000 $4.416 $8832
2500 $4.37 $10925
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 80mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2557 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 227W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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