Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIHP120N60E-GE3

SIHP120N60E-GE3

SIHP120N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB

nicht konform

SIHP120N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.70000 $5.7
10 $5.09000 $50.9
100 $4.17400 $417.4
500 $3.37992 $1689.96
1,000 $2.85054 -
3,000 $2.70801 -
631 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 120mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1562 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 179W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

FCP22N60N
FCP22N60N
$0 $/Stück
NVTFS5124PLTWG
NVTFS5124PLTWG
$0 $/Stück
NTTFS4823NTWG
NTTFS4823NTWG
$0 $/Stück
FQA10N80
BUK6D385-100EX
R8011KNXC7G

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.