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SIHP12N60E-BE3

SIHP12N60E-BE3

SIHP12N60E-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

compliant

SIHP12N60E-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.82000 $2.82
500 $2.7918 $1395.9
1000 $2.7636 $2763.6
1500 $2.7354 $4103.1
2000 $2.7072 $5414.4
2500 $2.679 $6697.5
1000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 937 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 147W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SCTW90N65G2V
SIHB24N65EFT1-GE3
MCQ05N15-TP
PSMNR60-25YLHX
RF6C055BCTCR
2SK3004
2SK3004
$0 $/Stück
NTTFS5116PLTWG
NTTFS5116PLTWG
$0 $/Stück
STN1NF20
STN1NF20
$0 $/Stück

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