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SIHP12N60E-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

nicht konform

SIHP12N60E-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.06000 $3.06
10 $2.76700 $27.67
100 $2.24030 $224.03
500 $1.76176 $880.88
1,000 $1.47465 -
3,000 $1.37895 -
5,000 $1.33110 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 937 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 147W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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