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SIHP14N60E-GE3

SIHP14N60E-GE3

SIHP14N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB

compliant

SIHP14N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.60000 $2.6
10 $2.35000 $23.5
100 $1.88840 $188.84
500 $1.46878 $734.39
1,000 $1.21699 -
3,000 $1.13306 -
5,000 $1.09109 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 309mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1205 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 147W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

RQ6E030ATTCR
FQPF13N06
STP4NK60Z
STP4NK60Z
$0 $/Stück
IRFR9024PBF
IRFR9024PBF
$0 $/Stück
IXFN180N15P
IXFN180N15P
$0 $/Stück
FDPF17N60NT
2N7002K-TP

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