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SIHP180N60E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB

nicht konform

SIHP180N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.41000 $3.41
500 $3.3759 $1687.95
1000 $3.3418 $3341.8
1500 $3.3077 $4961.55
2000 $3.2736 $6547.2
2500 $3.2395 $8098.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1085 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 156W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFR210TRLPBF
G3R20MT17K
IXTY1R4N120P
IXTY1R4N120P
$0 $/Stück
STI45N10F7
STI45N10F7
$0 $/Stück
UF3C065040T3S
UF3C065040T3S
$0 $/Stück
NTTFS5C453NLTAG
NTTFS5C453NLTAG
$0 $/Stück
G3R160MT12J
APT7F100B
IRF540
IRF540
$0 $/Stück
HUFA76429D3
HUFA76429D3
$0 $/Stück

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