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SIHP21N60EF-GE3

SIHP21N60EF-GE3

SIHP21N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

nicht konform

SIHP21N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.43000 $4.43
10 $3.95200 $39.52
100 $3.24040 $324.04
500 $2.62396 $1311.98
1,000 $2.21298 -
3,000 $2.10233 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 176mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2030 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 227W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IXTP2R4N120P
IXTP2R4N120P
$0 $/Stück
SI2301BDS-T1-BE3
BUK662R5-30C,118
DMP2110U-7
RE1C002ZPTL
FDB7030BLS
IXFH60N60X3
IXFH60N60X3
$0 $/Stück

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