Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIHP22N60AE-BE3

SIHP22N60AE-BE3

SIHP22N60AE-BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

nicht konform

SIHP22N60AE-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.93000 $3.93
500 $3.8907 $1945.35
1000 $3.8514 $3851.4
1500 $3.8121 $5718.15
2000 $3.7728 $7545.6
2500 $3.7335 $9333.75
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1451 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 179W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

BUK765R0-100E,118
PSMN4R4-80PS,127
IRF830BPBF-BE3
RQ6A045APTCR
STD3NK80Z-1
FDC653N
FDC653N
$0 $/Stück
NVMFS5C628NLAFT3G
NVMFS5C628NLAFT3G
$0 $/Stück
IRFR540ZTRPBF

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.