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SIHP30N60E-E3

SIHP30N60E-E3

SIHP30N60E-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

compliant

SIHP30N60E-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.62000 $6.62
10 $5.91300 $59.13
100 $4.84830 $484.83
500 $3.92590 $1962.95
1,000 $3.31100 -
3,000 $3.14545 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IXTV22N50P
IXTV22N50P
$0 $/Stück
IRLL110PBF
IRLL110PBF
$0 $/Stück
ZVN2120A
ZVN2120A
$0 $/Stück
IXTQ56N15T
IXTQ56N15T
$0 $/Stück
FDD26AN06A0-F085
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$0 $/Stück
BSO104N03S
FQB34P10TM-F085P
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$0 $/Stück

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