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SIHP690N60E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220AB

nicht konform

SIHP690N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.99000 $1.99
500 $1.9701 $985.05
1000 $1.9502 $1950.2
1500 $1.9303 $2895.45
2000 $1.9104 $3820.8
2500 $1.8905 $4726.25
1040 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 700mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 347 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STF26N60M2
STF26N60M2
$0 $/Stück
NTMFS0D7N03CGT1G
NTMFS0D7N03CGT1G
$0 $/Stück
STD5NK60ZT4
STD30N10F7
STD30N10F7
$0 $/Stück
DMP2012SN-7
MMSF3350R2
MMSF3350R2
$0 $/Stück
IRLZ24NPBF
NVTYS007N04CLTWG
NVTYS007N04CLTWG
$0 $/Stück

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