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SIHP6N80E-BE3

SIHP6N80E-BE3

SIHP6N80E-BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 800V

nicht konform

SIHP6N80E-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.55000 $2.55
500 $2.5245 $1262.25
1000 $2.499 $2499
1500 $2.4735 $3710.25
2000 $2.448 $4896
2500 $2.4225 $6056.25
1000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 940mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 827 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 78W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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