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SIHW70N60EF-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD

nicht konform

SIHW70N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $13.70000 $13.7
10 $12.51000 $125.1
480 $9.81740 $4712.352
960 $8.80030 $8448.288
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 38mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 380 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7500 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 520W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD
Paket / Koffer TO-247-3
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