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SIHW73N60E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 73A TO247AD

nicht konform

SIHW73N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
500 $7.37036 $3685.18
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 73A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 39mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 362 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7700 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 520W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

RQ5L015SPTL
2SK1421
2SK1421
$0 $/Stück
BSS138BWAHZGT106
IRFR1205TRPBF

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