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SIJ186DP-T1-GE3

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SIJ186DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK

nicht konform

SIJ186DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.54120 -
6,000 $0.51579 -
15,000 $0.49764 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1710 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

AUIRFSL8407
SISH892BDN-T1-GE3
BUK6Y10-30PX
DMT4005SCT
SI8487DB-T1-E1
RV2C010UNT2L
AUIRF4104

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