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SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK

compliant

SIR108DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.80819 -
6,000 $0.77025 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12.4A (Ta), 45A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 41.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2060 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

STD3NK100Z
STD3NK100Z
$0 $/Stück
AUIRFP4568-E
STW48NM60N
STW48NM60N
$0 $/Stück
FDB15N50
FDB15N50
$0 $/Stück
DMN3042L-13
MMFTN6001
DMS2220LFDB-7

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