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SIR165DP-T1-GE3

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SIR165DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

nicht konform

SIR165DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.77490 -
6,000 $0.73852 -
15,000 $0.71253 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 138 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4930 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 69.4W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

FDB8442
CSD17578Q5A
CSD17578Q5A
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MTAJ50N05HDLFK
MTAJ50N05HDLFK
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DMP6110SVT-13
STF10NM60N
STF10NM60N
$0 $/Stück
APT66F60L

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