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SIR178DP-T1-RE3

SIR178DP-T1-RE3

SIR178DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK

nicht konform

SIR178DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.81000 $1.81
500 $1.7919 $895.95
1000 $1.7738 $1773.8
1500 $1.7557 $2633.55
2000 $1.7376 $3475.2
2500 $1.7195 $4298.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Ta), 430A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 310 nC @ 10 V
vgs (max) +12V, -8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 12430 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IRL640STRRPBF
PMV250EPEAR
PMV250EPEAR
$0 $/Stück
RM10N100S8
RM10N100S8
$0 $/Stück
FQP11N40C
FQP11N40C
$0 $/Stück
CSD18563Q5AT
SIHP4N80E-GE3

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