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SIR180DP-T1-RE3

SIR180DP-T1-RE3

SIR180DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK

compliant

SIR180DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.92009 -
6,000 $0.88817 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32.4A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.05mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 87 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4030 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

BUK6Y14-40PX
SI2307BDS-T1-GE3
IRFS750A
BUK9620-100B,118
DMN6140L-7
IXTA08N100D2HV
IXTA08N100D2HV
$0 $/Stück
IXFA130N10T2
IXFA130N10T2
$0 $/Stück
PSMN8R0-80YLX
NTK3134NT5G
NTK3134NT5G
$0 $/Stück

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