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SIR186DP-T1-RE3

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SIR186DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

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SIR186DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.59778 -
6,000 $0.56971 -
15,000 $0.54967 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1710 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 57W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IXFP38N30X3
IXFP38N30X3
$0 $/Stück
IRFU120PBF
IRFU120PBF
$0 $/Stück
IRL620PBF-BE3
STH272N6F7-6AG
FDS6685
STP13N60DM2
IRFH3702TRPBF
IRFH7787TRPBF

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