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SIR418DP-T1-GE3

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SIR418DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

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SIR418DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.63960 -
6,000 $0.60957 -
15,000 $0.58812 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2410 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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