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SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

SOT-23

nicht konform

SIR438DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.99855 -
6,000 $0.96390 -
261 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4560 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IXTK110N20L2
IXTK110N20L2
$0 $/Stück
VN0606L-G-P003
IXFK210N30X3
IXFK210N30X3
$0 $/Stück
HUFA75343G3
NVH4L015N065SC1
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$0 $/Stück
FDPF5N60NZ
FDPF5N60NZ
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SQJA76EP-T1_GE3

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