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SIR510DP-T1-RE3

SIR510DP-T1-RE3

SIR510DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

nicht konform

SIR510DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.35000 $2.35
500 $2.3265 $1163.25
1000 $2.303 $2303
1500 $2.2795 $3419.25
2000 $2.256 $4512
2500 $2.2325 $5581.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 31A (Ta), 126A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 81 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4980 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

FDPF20N50T
FDPF20N50T
$0 $/Stück
IRFH5302TRPBF
FDFMA2P029Z-F106
FDFMA2P029Z-F106
$0 $/Stück
APT20M22JVR
BSS138PW,115
FQPF4N60
NTMS4935NR2G
NTMS4935NR2G
$0 $/Stück

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