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SIR588DP-T1-RE3

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SIR588DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

nicht konform

SIR588DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.05000 $1.05
500 $1.0395 $519.75
1000 $1.029 $1029
1500 $1.0185 $1527.75
2000 $1.008 $2016
2500 $0.9975 $2493.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17.2A (Ta), 59.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1380 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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