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SIR606DP-T1-GE3

SIR606DP-T1-GE3

SIR606DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8

compliant

SIR606DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.72406 -
6,000 $0.69007 -
15,000 $0.66578 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 37A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 6 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1360 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 44.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

STWA68N60M6
STF25N80K5
STF25N80K5
$0 $/Stück
IRFP9140NPBF
FQD2N90TF
FQA12N60
NVMFS6H818NLT1G
NVMFS6H818NLT1G
$0 $/Stück
CSD23203W
CSD23203W
$0 $/Stück
SI7421DN-T1-E3
BUK794R1-40BT,127

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