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SIR608DP-T1-RE3

SIR608DP-T1-RE3

SIR608DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK

SOT-23

nicht konform

SIR608DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.84005 -
6,000 $0.81090 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 45 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 51A (Ta), 208A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 167 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8900 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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