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SIR622DP-T1-GE3

SIR622DP-T1-GE3

SIR622DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8

compliant

SIR622DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.80360 -
6,000 $0.76587 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 51.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 7.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1516 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

RZL025P01TR
R6004KNX
R6004KNX
$0 $/Stück
ZXMP2120G4TA
IXTA26P20P-TRL
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$0 $/Stück
BUK9E1R6-30E,127
BUK9E1R6-30E,127
$0 $/Stück
FDMC7572S
FDMC7572S
$0 $/Stück
FDS8840NZ
FDS8840NZ
$0 $/Stück
IRFBC30ALPBF
IRFBC30ALPBF
$0 $/Stück
STF7NM80
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$0 $/Stück
UJ4SC075018B7S
UJ4SC075018B7S
$0 $/Stück

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