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SIR626LDP-T1-RE3

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SIR626LDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK

nicht konform

SIR626LDP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.91930 -
6,000 $0.88740 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 135 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5900 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

PSMN022-30BL,118
IXTA08N100D2
IXTA08N100D2
$0 $/Stück
DMN3067LW-13
FDB86366-F085
FDB86366-F085
$0 $/Stück
IRFH5020TRPBF
FQPF6N50
DMT6012LFV-7
IPF13N03LA G
FQP17N08

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