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SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

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SIR670DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.59778 -
6,000 $0.56971 -
15,000 $0.54967 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2815 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

DMG4800LK3-13
FDZ193P
DMP1009UFDF-7
FDBL0330N80
FDBL0330N80
$0 $/Stück
IXFH60N50P3
IXFH60N50P3
$0 $/Stück
IXTT3N200P3HV
IXTT3N200P3HV
$0 $/Stück
FQD6N40CTM
FQD6N40CTM
$0 $/Stück
RSR025N03HZGTL

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