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SIR692DP-T1-RE3

SIR692DP-T1-RE3

SIR692DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8

compliant

SIR692DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.91375 -
6,000 $0.88205 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 63mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 7.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1405 pF @ 125 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IRFR9020TRLPBF
NTR0202PLT1G
NTR0202PLT1G
$0 $/Stück
IRF624PBF-BE3
IXFH52N50P2
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$0 $/Stück
NTD24N06L-001
NTD24N06L-001
$0 $/Stück
NVB6411ANT4G
NVB6411ANT4G
$0 $/Stück
SIHW33N60E-GE3
ZXMN4A06GTA

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