Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIR696DP-T1-GE3

SIR696DP-T1-GE3

SIR696DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8

compliant

SIR696DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.64206 -
6,000 $0.61192 -
15,000 $0.59038 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 125 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1410 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NTMFS024N06CT1G
NTMFS024N06CT1G
$0 $/Stück
NTMFSC0D9N04CL
NTMFSC0D9N04CL
$0 $/Stück
MTDF1C02HDR2
MTDF1C02HDR2
$0 $/Stück
FCMT099N65S3
FCMT099N65S3
$0 $/Stück
IRFP4568PBF
STH275N8F7-6AG
SI3429EDV-T1-GE3
STL8N80K5
STL8N80K5
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.