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SIR862DP-T1-GE3

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SIR862DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

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SIR862DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.67240 -
6,000 $0.64083 -
15,000 $0.61828 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3800 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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