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SIR870DP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

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SIR870DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.28385 -
6,000 $1.23930 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2840 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

RM7N40S4
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NTD40N03RT4
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STD1028T4
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NTD4813NT4G
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CSD18503Q5A
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SKP253VR
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NTTFS5826NLTAG
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RM15P55LD
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