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SIR882BDP-T1-RE3

SIR882BDP-T1-RE3

SIR882BDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK

compliant

SIR882BDP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.68000 $1.68
500 $1.6632 $831.6
1000 $1.6464 $1646.4
1500 $1.6296 $2444.4
2000 $1.6128 $3225.6
2500 $1.596 $3990
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16.5A (Ta), 67.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 81 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3762 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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