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SIRA00DP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

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SIRA00DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.11616 -
6,000 $1.07743 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 220 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11700 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IXFK230N20T
IXFK230N20T
$0 $/Stück
IRFZ48NPBF
RFD3055LE
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$0 $/Stück
DMNH10H028SCT
SIHG40N60E-GE3
IXFA72N30X3-TRL
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$0 $/Stück
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IXFT320N10T2
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$0 $/Stück
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