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SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

compliant

SIRA02DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.90345 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 117 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6150 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

NTLJS1102PTAG
NTLJS1102PTAG
$0 $/Stück
IXTT440N055T2
IXTT440N055T2
$0 $/Stück
RQ6E055BNTCR
FCH150N65F-F155
FCH150N65F-F155
$0 $/Stück
SUM70040E-GE3
STW68N60M6
STW68N60M6
$0 $/Stück
SIAA00DJ-T1-GE3
FDB0105N407L
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$0 $/Stück
PMV164ENEAR
PMV164ENEAR
$0 $/Stück

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