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SIRA18ADP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8

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SIRA18ADP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.16787 -
6,000 $0.15764 -
15,000 $0.14741 -
30,000 $0.14024 -
75,000 $0.13950 -
26481 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21.5 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1000 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 14.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

DMP2039UFDE-7
SI7190DP-T1-GE3
SIHP25N50E-GE3
QS5U12TR
QS5U12TR
$0 $/Stück
SQ3427EV-T1_BE3
SFT1458-TL-H
SFT1458-TL-H
$0 $/Stück

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