SIRA18DP-T1-RE3 Vishay Siliconix von ichome.com

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Teilenummer des Herstellers:SIRA18DP-T1-RE3

Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

RoHs-Status:compliant

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
3,000	$0.19949	-

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Name	Wert
Produktstatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS)	30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C	33A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an)	4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs	7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID	2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs	21.5 nC @ 10 V
vgs (max)	+20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds	1000 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	14.7W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer	PowerPAK® SO-8